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sti locos
【先前技術】.在目前半導體製程中,一般採用區域氧化法(localizedoxidationisolation,LOCOS)或是淺溝隔離(shallowtrenchisolation,STI)方法來.進行元件之間的隔離 ...,淺溝槽絕緣(STI).▫LOCOS和PBL運作地很好當圖形尺寸>0.5μm時.▫當圖形尺寸
複晶矽緩衝層淺溝渠隔離技術之研究
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區域氧化隔離技術(LOCOS)為最廣泛使用的隔絕技術,但當元件通道長度降至0.25微米以下時,傳統的區域氧化隔離技術(LOCOS)已經被淺溝渠隔離技術(ShallowTrench ...
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